在全球半導體產業向高能效、高頻化、高溫化演進的關鍵節點，第三代半導體材料（碳化硅SiC、氮化鎵GaN）憑借其寬禁帶特性，正成為新能源、5G通信、電動汽車等領域的核心支撐技術。

在此背景下，TH521系列功率器件分析儀通過**架構設計，將多參數測量、多測量模塊、超廣工作范圍等模塊集成于單臺設備，為應用提供質量保障。

TH521系列實現單機集成IV/CV/Qg/腳本測試/DataSheet五大核心測試模塊，一站式覆蓋功率器件靜態穩態特性與動態開關性能的全維度核心參數測試。

TH521系列由主機加擴展器的形式組成，從下圖可以看出，左圖部分為儀器的主機，右圖為大電流擴展器用于大電流測試。

有八種測量模塊，各模塊實現著獨特的功能特性，能夠根據客戶的實際需求，靈活挑選不同型號的主機進行搭配組合。

在第三代半導體應用中，新能源汽車對碳化硅（SiC）功率器件的耐高壓性能要求嚴苛。以3300V碳化硅MOSFET為例，其主驅逆變器、高壓快充等場景需承受電網級電壓波動與瞬態過壓沖擊，測試需采用遠超標稱電壓的強化方案以確?？煽啃?。

TH521系列*大輸出電壓能達到±3500V*大輸出電流能達到±1800A，電壓測量*小分辨率100nV，電流測量*小分辨率10fA，針對電容測量集電極*大偏置電壓達到±3500V，測量頻率*高可以達到10MHz。

（TH521系列產品型號）

為提升功率器件研發效率并規避人工處理海量數據導致的誤差風險，TH521系列技術資料生成系統基于標準化模板庫，可自動創建功率器件（半導體和元器件）的技術資料。

TH521突破傳統儀器依賴人工編程的模式，引入AI輔助編寫Python測試腳本功能，通過自然語言交互實現“所思即所得"的腳本開發。這一突破性設計為功率器件研發從"經驗驅動"向"數據驅動"的智能化轉型提供了關鍵工具支撐。

同惠電子將持續深耕半導體測試領域，聚焦SiC/GaN等功率器件需求，突破動態參數、多物理場測試等關鍵技術，研發覆蓋全周期的智能化測試方案，助力行業技術突破與國產化進程，為中國半導體產業鏈自主可控貢獻力量。